তদুপরি, নেচার জার্নালে প্রকাশিত "হেক্সাগোনাল জার্মেনিয়াম এবং সিলিকন-জার্মেনিয়াম অ্যালয়েস থেকে সরাসরি ব্যান্ডগ্যাপ নির্গমন" কাগজে যেমন তারা দেখিয়েছিল, তারা সক্ষম হয়েছিল।বিকিরণ তরঙ্গদৈর্ঘ্য বিস্তৃত পরিসরে ক্রমাগত সামঞ্জস্যযোগ্য।তাদের মতে, এই নতুন আবিষ্কারগুলি সরাসরি সিলিকন-জার্মেনিয়াম ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটে ফোটোনিক চিপগুলির বিকাশের অনুমতি দিতে পারে।
SiGe সংকর ধাতুগুলিকে সরাসরি ব্যান্ডগ্যাপ ইমিটারে রূপান্তর করার চাবিকাঠি হল একটি ষড়ভুজাকার জালিকা কাঠামো সহ জার্মেনিয়াম এবং জার্মেনিয়াম-সিলিকন অ্যালয়গুলি প্রাপ্ত করা।আইন্দহোভেনের টেকনিক্যাল ইউনিভার্সিটির গবেষকরা, মিউনিখের টেকনিক্যাল ইউনিভার্সিটি এবং জেনা এবং লিঞ্জের বিশ্ববিদ্যালয়ের সহকর্মীদের সাথে, হেক্সাগোনাল বৃদ্ধির জন্য টেমপ্লেট হিসাবে একটি ভিন্ন উপাদান থেকে তৈরি ন্যানোয়ার ব্যবহার করেছেন।
ন্যানোয়ারগুলি তখন একটি জার্মেনিয়াম-সিলিকন শেলের টেমপ্লেট হিসাবে কাজ করে যার উপর অন্তর্নিহিত উপাদানটি একটি ষড়ভুজ স্ফটিক কাঠামো আরোপ করে।প্রাথমিকভাবে, তবে, এই কাঠামোগুলি আলো নির্গত করতে উত্তেজিত হতে পারেনি।মিউনিখের টেকনিক্যাল ইউনিভার্সিটির Walther Schottky ইনস্টিটিউটের সহকর্মীদের সাথে ধারনা বিনিময় করার পর, তারা প্রতিটি প্রজন্মের অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যগুলি বিশ্লেষণ করে এবং অবশেষে উত্পাদন প্রক্রিয়াটিকে এমন জায়গায় অপ্টিমাইজ করে যেখানে ন্যানোয়ারগুলি আসলে আলো নির্গত করতে পারে।
"একই সময়ে, আমরা প্রায় ইন্ডিয়াম ফসফাইড বা গ্যালিয়াম আর্সেনাইডের সাথে তুলনীয় পারফরম্যান্স অর্জন করেছি," বলেছেন আইন্ডহোভেন ইউনিভার্সিটি অফ টেকনোলজির অধ্যাপক এরিক বেকারস৷অতএব, জার্মেনিয়াম-সিলিকন অ্যালয়গুলির উপর ভিত্তি করে লেজার তৈরি করা যা প্রচলিত উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলিতে একীভূত হতে পারে তা কেবল সময়ের ব্যাপার হতে পারে।
"যদি আমরা অপটিক্যালি অভ্যন্তরীণ এবং আন্তঃ-চিপ ইলেকট্রনিক যোগাযোগ প্রদান করতে পারি, তাহলে গতি 1,000 এর একটি ফ্যাক্টর দ্বারা বাড়ানো যেতে পারে," বলেছেন জোনাথন ফিনলে, টিইউএম-এর সেমিকন্ডাক্টর কোয়ান্টাম ন্যানোসিস্টেমের অধ্যাপক।উল্লেখযোগ্যভাবে লেজার রাডার, চিকিৎসা নির্ণয়ের জন্য রাসায়নিক সেন্সর এবং বায়ু এবং খাদ্যের গুণমান পরিমাপের জন্য চিপগুলির সংখ্যা কমাতে পারে।"
আমাদের কোম্পানি দ্বারা গলিত সিলিকন জার্মেনিয়াম খাদ কাস্টমাইজড অনুপাত গ্রহণ করতে পারে
পোস্টের সময়: জুন-২১-২০২৩