পলিসিলিকন টার্গেট কি

পলিসিলিকন একটি গুরুত্বপূর্ণ স্পটারিং লক্ষ্য উপাদান।SiO2 এবং অন্যান্য পাতলা ফিল্ম প্রস্তুত করার জন্য ম্যাগনেট্রন স্পুটারিং পদ্ধতি ব্যবহার করে ম্যাট্রিক্স উপাদানগুলিকে আরও ভাল অপটিক্যাল, ডাইইলেক্ট্রিক এবং জারা প্রতিরোধ ক্ষমতা তৈরি করতে পারে, যা টাচ স্ক্রিন, অপটিক্যাল এবং অন্যান্য শিল্পে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

দীর্ঘ স্ফটিক ঢালাই করার প্রক্রিয়াটি হল তরল সিলিকনের দিকনির্দেশক দৃঢ়ীকরণ অনুধাবন করা নীচ থেকে উপরের দিকে ধীরে ধীরে ইংগট ফার্নেসের গরম ক্ষেত্রে হিটারের তাপমাত্রা এবং তাপ নিরোধক উপাদানের তাপ অপচয় নিয়ন্ত্রণ করে। দৃঢ়করণ দীর্ঘ স্ফটিক গতি হল 0.8~1.2cm/h।একই সময়ে, দিকনির্দেশক দৃঢ়করণের প্রক্রিয়াতে, সিলিকন উপকরণগুলিতে ধাতব উপাদানগুলির পৃথকীকরণের প্রভাব উপলব্ধি করা যেতে পারে, বেশিরভাগ ধাতব উপাদানগুলিকে শুদ্ধ করা যেতে পারে এবং একটি অভিন্ন পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন শস্য কাঠামো তৈরি করা যেতে পারে।

ঢালাই পলিসিলিকনকেও ইচ্ছাকৃতভাবে উৎপাদন প্রক্রিয়ায় ডোপ করা দরকার, যাতে সিলিকন গলতে গ্রহণকারী অমেধ্যের ঘনত্ব পরিবর্তন করা যায়।শিল্পে পি-টাইপ কাস্ট পলিসিলিকনের প্রধান ডোপ্যান্ট হল সিলিকন বোরন মাস্টার অ্যালয়, যাতে বোরনের পরিমাণ প্রায় 0.025%।ডোপিংয়ের পরিমাণ সিলিকন ওয়েফারের লক্ষ্য প্রতিরোধ ক্ষমতা দ্বারা নির্ধারিত হয়।সর্বোত্তম প্রতিরোধ ক্ষমতা হল 0.02 ~ 0.05 Ω • সেমি, এবং সংশ্লিষ্ট বোরনের ঘনত্ব প্রায় 2 × 1014cm-3. যাইহোক, সিলিকনে বোরনের বিভাজন সহগ হল 0.8, যা দিকনির্দেশক দৃঢ়ীকরণ প্রক্রিয়ায় একটি নির্দিষ্ট পৃথকীকরণ প্রভাব দেখাবে, হল, বোরন উপাদানটি পিণ্ডের উল্লম্ব দিকে একটি গ্রেডিয়েন্টে বিতরণ করা হয় এবং ইনগটের নিচ থেকে উপরের দিকে প্রতিরোধ ক্ষমতা ধীরে ধীরে হ্রাস পায়।